Многокристальный модуль памяти, представляющий пространственную сборку уровней с бескорпусными микросхемами на полимерных основаниях, защищенных компаундом. Используя инновационные технологии проектирования и производства чипов, производитель памяти надеется сделать модуль новым эталоном энергоэффективной памяти для центров. Новый модуль памяти DDR5-7200 работает при напряжении всего в 1,1 В, тогда как для DDR4 стандартное напряжение — 1,2 В. Память SO-DIMM в конечном счете будет вытеснена модулями нового типа CAMM2.
Samsung представила 32-Гбит чипы DDR5 — они позволят выпускать модули DDR5 объёмом 64 Гбайт
| SMART представила первый серверный модуль памяти стандарта CXL | Новости | КомпьютерПресс | Предалагаем Вашему вниманию акцию на Оригианальные Восстановленные модули памяти по привлекательным ценам. |
| Массовое производство потребительских модулей памяти DDR5 стартует в ближайшее время | Он открывает большие возможности по созданию быстродействующих модулей памяти для оптических компьютеров будущего. |
| Samsung планирует 8-слойные модули памяти TSV DDR5 с общей емкостью до 512 ГБ | Коллеги с сайта Serve The Home раздобыли образец модуля памяти Intel Optane DC объёмом 128 ГБ, и разобрали его перед камерой для знакомства с компоновкой. |
Свежие материалы
- CAMM2 становится стандартом
- Навигация по записям
- Samsung выпустила первый в отрасли модуль памяти LPDDR5X объёмом 16 ГБ
- Компания Samsung объявила о начале производства новой оперативной памяти DDR5
- Рынок Модулей Памяти
Начато производство «первой в мире» сверхскоростной памяти DDR5
Именно эти показатели важны для использования в дата-центрах. Южнокорейский гигант утверждает, что другие производители такую память сейчас выпускать не могут. Пока что новый 512-гигабайтный модуль Samsung DDR5 проходит стадию верификации.
Главные достоинства CXL по сравнению с ныне применяемыми решениями — заметное увеличение пропускной способности оперативной памяти, возможности ее масштабирования до терабайтного уровня и малая задержка при передаче данных между процессором и графическими ускорителями, интеллектуальными устройствами ввода-вывода и др. Внедрение CXL в серверных системах приобретает особо важное значение в случае выполнения гетерогенных вычислений, когда несколько процессоров задействованы параллельно для обработки огромных объемов данных.
По словам замглавы Минпромторга РФ Юрия Слюсаря, в данное время специалисты прослушивают запись найденного "черного ящика". Sukhoi SuperJet-100 отправился в свой второй демонстрационный полет с индонезийского аэродрома Халим в Джакарте в 11:21 мск 9 мая. По предварительным данным, связь с самолетом пропала через 29 минут.
Для обозначения новых модулей памяти потребуется новое слово, так как они больше не "планки". Разумеется, именно компактность и являлась главной причиной разработки модулей CAMM. Она заменит "ступенчатую" конструкцию SO-DIMM единым двухканальным "куском" памяти, широким и плоским, так что теперь это уже не совсем "планка".
При этом она является намного более компактной, что крайне важно для ноутбука, и при этом может быть легко заменена пользователем.
Samsung представила 512-гигабайтный модуль памяти DDR5
Но, отличия всё-таки есть. Стоит отметить, что это стандартные значения для модулей DDR5 первой волны. Преимущество DDR5 не только в росте эффективной частоты до 10 ГГц и выше, более широкой полосе пропускания, но и в повышенной энергоэффективности, ведь по умолчанию она требует более низкого напряжения.
И традиционные типы памяти ограничены в масштабировании. Ситуация требует совершенно новой технологии, такой как CXL.
Первой потребительской платформой с поддержкой DDR5 должны стать настольные процессоры Intel Alder Lake вместе с материнскими платами на базе 600-й серии чипсетов, которые должны выйти к концу 2021 года.
У AMD первые процессоры с поддержкой DDR5 выйдут только в начале 2022 года - ожидается, что это будут новые чипы на базе архитектуры Zen 4. На данный момент известно, что для будущих процессоров AMD разработает новый сокет AM5, а значит под них все же придется покупать новые материнские платы.
Согласно пресс-релизу Samsung, новинка была создана для обработки огромных объёмов данных, когда несколько процессоров работают параллельно. Samsung также разработала ряд технологий для контроллеров и программного обеспечения. Они позволят процессорам и видеокартам распознавать новый тип памяти и использовать её в качестве основной.
Памяти много не бывает. Corsair представила модули оперативной памяти DDR5 объемом 24 и 48 ГБ
Работать модуль памяти в состоянии при напряжении 1,1 В против 1,2 В у DDR4. Недавно о начале запуска массового потребления модулей памяти LPDDR5 заявила также Samsung. Представив осенью прошлого года модуль памяти DDR5 емкостью 24 Гб. Первые 12-гигабитные модули мобильной DRAM-памяти LPDDR5 выпустила Samsung в сентябре 2019 года.
Компания Samsung объявила о начале производства новой оперативной памяти DDR5
| Samsung планирует 8-слойные модули памяти TSV DDR5 с общей емкостью до 512 ГБ | Железо | NEWS | Новый модуль памяти DDR5-7200 работает при напряжении всего в 1,1 В, тогда как для DDR4 стандартное напряжение — 1,2 В. |
| Чип SPD на модулях памяти обновят впервые за 20 лет | ИА Красная Весна | Его модули на 57% тоньше, но вмещать он может только до 128 Гб памяти DDR5-4800. |
Samsung обещает память на 128 ГБ: скоро ли конец DDR4?
Ранее компания анонсировала модули оперативной памяти стандарта DDR5 объёмом 512 ГБ. Samsung представила первый модуль памяти на 512 ГБ, который использует интерфейс Compute Express Link (CXL).Как утверждает сама Samsung. Micron начала испытательный выпуск образцов модулей памяти DDR5 на 128 ГБ, основанных на монолитных кристаллах. Два китайских производителя модулей памяти официально подтвердили, что первые модули DDR5 сошли с конвейеров спустя считанные недели после того, как на заводы-изготовители. Расширение линейки модулей памяти DDR4 формата R-DIMM 8-64 ГБ от компании MMY.
Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL
Они позволят процессорам и видеокартам распознавать новый тип памяти и использовать её в качестве основной. Модуль уже успешно протестирован на серверных платформах Intel. Свою готовность сотрудничать с Samsung в этом направлении выразила и компания AMD.
По сути это обычный модуль памяти, но с двойным набором микросхем и увеличенными габаритами. Он уже прошел сертификацию в JDEC и готов к запуску в массовое производство. Данную разработку ASUS вела не в одиночестве, к ней присоединились такие гиганты производства памяти, как G. Skill и Zadak, которые уже представили первые модули.
По словам замглавы Минпромторга РФ Юрия Слюсаря, в данное время специалисты прослушивают запись найденного "черного ящика". Sukhoi SuperJet-100 отправился в свой второй демонстрационный полет с индонезийского аэродрома Халим в Джакарте в 11:21 мск 9 мая. По предварительным данным, связь с самолетом пропала через 29 минут.
Новые чипы DDR5 должны помочь в создании модулей с меньшим шагом: 24, 48, 96 Гбайт или т. Это так называемая «небинарная» память. При этом за «ненужные» гигабайты всё равно придётся заплатить. Сокращение числа активных каналов с 12 до 10 может оказаться неприемлемым, как, впрочем, и использование 2DPC в случае Genoa этого режима пока всё равно нет.
ADATA показала модули памяти CAMM, CXL и MR-DIMM
Мобильная рабочая станция Lenovo ThinkPad P1 Gen 7 стала первым ноутбуком, оснащённым памятью нового форм-фактора LPCAMM2, который выступает преемником модулей SODIMM. Новости / Технологии → SK hynix планирует создать модуль памяти GDDR7 объёмом 3 ГБ со скоростью передачи данных 40 Гбит/с. Сегодня, 25 марта 2021 года, южнокорейский технологический гигант в лице компании Samsung представил наконец свою новую разработку — модули своей оперативной памяти нового.